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    SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振

  • 編號:72949068
  • 頻率:512.288kHz
  • 尺寸:1.5x0.8mm
  • RoHS
  • RoHS2
SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振,美國進口晶振,SiTime晶振,型號:SiT1576,編碼為:SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,頻率為:512.288kHz,小體積晶振尺寸:1...

SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振,美國進口晶振,SiTime晶振,型號:SiT1576,編碼為:SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,頻率為:512.288 kHz,小體積晶振尺寸:1.5x0.8mm,CSP,SMD晶振,TCXO溫補晶振,四腳貼片晶振,石英晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器。特點:1Hz到2.5MHz ±5ppm全包頻率穩定性,工廠可編程輸出頻率,世界上最小的TCXO占地面積:1.2mm2,尺寸1.5 x 0.8mm CSP,不需要外部旁路帽,改進穩定性降低系統功率與更少的網絡計時更新,超低功率:6µA(100kHz),石英晶體振蕩器電源電壓范圍: 1.62V到3.63V,工作溫度范圍:-20°C到+70°C,-40°C到+85°C,無鉛,RoHS和達到兼容。應用程序:健康和健康監視器,智能筆,ULP輸入設備,專有無線,傳感器接口。


SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振,參數表
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Condition
Frequency and Stability
Output Frequency FOUT 1   2.5 M Hz  
Total Frequency Stability[1] F_stab -5   5 ppm All inclusive, Stability code: E
-20   20 ppm All inclusive, Stability code: 1
Allan Deviation AD   1e-8 4e-8   1 second averaging time
First Year Frequency Aging F_aging   ±1   ppm TA  = 25°C, VDD  = 1.8V
Jitter Performance
Integrated Phase Jitter IPJ   2 3.5 nsRMS F OUT > 1 kHz, Integration bandwidth = 100 Hz to F OUT /2. Inclusive
of 50 mV peak-to-peak sinusoidal noise on VDD. Noise frequency
100 Hz to 20 MHz
Period Jitter PJ   2.2 4.5 nsRMS Cycles = 10,000, f = 100 kHz. Per JEDEC standard 65B, tested at
100 kHz. See performance plot for other frequencies.
Peak-to-Peak Period Jitter PJp-p   20 35 nsp-p
Supply Voltage and Current Consumption
Operating Supply Voltage VDD 1.62   3.63 V  
No Load Supply Current IDD   3.65 5 µA F OUT = 1 Hz
  4.5 5.5 F OUT = 33 kHz
  6 7 F OUT = 100 kHz
  13 16 F OUT = 1 MHz
  33 40 FOUT  = 2 MHz
Start-up Time at Power-up t_start   150 300 ms FOUT  > 200 Hz.
Measured when supply reaches 90% of final VDD to the first output
pulse and within specified min/max frequency limit.
  300 +
2.0 cycles
300 +
2.5 cycles
10 Hz < FOUT ≤ 200 Hz.
Measured when supply reaches 90% of final VDD to the first output
pulse and within specified min/max frequency limit.
    500 +
2.5 Cycles
1 Hz ≤ FOUT ≤ 10 Hz.
Measured when supply reaches 90% of final VDD to the first output
pulse and within specified min/max frequency limit.
Operating TemperatureRange
Operating TemperatureRange Op_Temp -20   70 °C “C” ordering code
-40   85 °C “I” ordering code
LVCMOS Output
Output Rise/Fall Time tR, tF   9 20 ns 20-80%, 15 pF load, VDD  = 1.8V +/- 10%
Output Clock Duty Cycle DC 45   55 %  
Output Voltage High VOH 90%     VDD I OH = -50 µA, 15 pF load
Output Voltage Low VOL     10% VDD I OL = 50 µA, 15 pF load


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SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振
SiT1576是一款超小、超低功率的工廠可編程TCXO,輸出頻率范圍在1 Hz到2.5 MHz之間。SiTime的硅MEMS技術使世界上最小的足跡和芯片規模封裝(CSP)的第一個1Hz-2.5MHz TCXO。典型的供電電流只有6µA(100 kHz)。
SiTime晶振的MEMS振蕩器由一個MEMS諧振器和一個可編程模擬電路組成。SiT1576 MEMS諧振器是建立與SiTime的獨特的MEMS第一®工藝。一個關鍵的制造步驟是EpiSeal®,在此期間MEMS諧振器在溫度超過1000°C。EpiSeal創建了一個非常強大的,清潔的,真空室,封裝了MEMS諧振腔,并確保了最好的性能和可靠性。在EpiSeal期間,一個聚硅蓋生長在諧振腔的頂部,這消除了額外的蓋晶片或其他外來包裝的需要。因此,SiTime的MEMS諧振器??梢韵袢魏纹渌雽w模一樣使用。SiTime的MEMS First和EpiSeal制造過程的一個獨特結果是,能夠將SiTime的MEMS模具與SOC、ASIC、微處理器或模擬模具集成在一個封裝中,以消除外部定時組件,并為客戶提供高度集成、更小、更便宜的解決方案。









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TCXO溫補振蕩器頻率穩定性:SiT1576在多個溫度點上進行了工廠校準(修剪),以保證在溫度上具有極緊密的穩定性。石英晶體具有經典的音叉拋物線溫度曲線,25°C周轉點,0.04~0.06ppm/°C2溫度系數,SiT1576溫度系數通過主動溫度校正電路進行溫度校正。結果是,在-40°C到+85°C溫度范圍內,具有極緊密的頻率變化。
當使用頻率計數器測量SiT1576的輸出頻率時,必須確保計數器的門極時間為>100 ms。更短的柵極時間可能導致不準確的測量類似地,在1 Hz將需要增加頻率到500 Hz的頻率范圍。



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